碳化硅(CAS 409-21-2):分子式 CSi、分子量 40.096。
| CAS号 | 409-21-2 |
|---|---|
| 分子式 | CSi |
| 分子量 | 40.096 |
| 熔点 | 2600 °C |
碳化硅 是一种化工化合物,登记 CAS 号为 409-21-2,分子式 CSi(分子量 40.096)。
登记 CAS 号:409-21-2
其分子式 CSi 由 1 个碳、1 个硅 组成。
别名/同义词:碳化硅 · Silicon Carbide · Silicon Carbide (Black)
碳化硅 的 CAS 登记号为 409-21-2。
分子式 CSi,分子量 40.096。
别名/同义词:碳化硅、Silicon Carbide、Silicon Carbide (Black)。
碳化硅(CAS 409-21-2)的独立参考数据,整理自公开化学数据库。
| CAS Registry Number | 409-21-2 |
|---|---|
| PubChem CID | 9863 |
| Molecular formula | CSi |
| IUPAC name | methanidylidynesilanylium |
| Molecular Weight | 40.096 |
|---|---|
| Hydrogen Bond Donor Count | 0 |
| Hydrogen Bond Acceptor Count | 1 |
| Rotatable Bond Count | 0 |
| Exact Mass | 39.976926534 |
| Monoisotopic Mass | 39.976926534 |
| Topological Polar Surface Area | 0 |
| Heavy Atom Count | 2 |
| Melting Point | 2600 °C |
|---|---|
| Melting Point | 2830 °C |
| Density | 3.23 |
| Density | 3.2 g/cm³ |
| Density | 3.16 @25 °C |
| Vapor Pressure | 0 mmHg (approx) (NIOSH, 2024) |
| Vapor Pressure | 0 mmHg (approx) |
| Ionization Potential | 9.30 eV |
SILICON CARBIDE; 409-21-2; Carborundum; Silicon monocarbide; Crystar; Betarundum; Carborundeum; Tokawhisker; Carbolon; Nicalon; Silundum; Silicon carbide (SiC); Carbon silicide; Green densic; Carbofrax M; Betarundum UF
| GHS notification summary | 70.3% (740 / 1053) |
|---|
| GHS notification summary | 70.3% (740 / 1053) |
|---|---|
| Reported hazard statements | H372 (16.1%), H225 (100%), H315 (100%), H319 (100%), H335 (100%), H336 (100%), H350, H351 |
H350i: May cause cancer by inhalation [Danger Carcinogenicity]
P203, P280, P318, P405, and P501 (click each P-code to see the statement)
Silicon Carbide (Black) · CAS 409-21-2 · CSi. Melting Point: 2600 °C; Melting Point: 2830 °C; Density: 3.23.
数据来源:PubChem / Wikidata;与随货 COA 不一致时以 COA 为准。
English page: Silicon Carbide